引起 DDR 问题的几个主要原因-ddr全面解析+实战

电源问题：layout 上电容不够，电容摆放位置离芯片太远，电容分布不合理电源 feedback 回路没按要求从末端引回到 PMU/DC-DC 端敷铜有没有按照 RK 的 layout 规则处理导致电源路径太窄LQFP 封装的芯片正下方的 GND 需要堆锡保证良好接地，否则会影响芯片内部电源质量以及

散热。信号质量问题不等长的走线。RK 大部分平台是不带各种 eye training 的，不等长的走线会直接牺牲 DDR 的

setup/hold time。过窄的线间距。过窄的线间距将会导致严重的串扰问题。T 型拓扑结构分支不等长。不等长的分支会恶化信号边沿，使边沿非单调。信号参考层回路上的不完整。在敷铜时，间隙设置过大导致过孔直接隔断参考层，会导致信号

质量下降引起兼容性问题。颗粒问题白牌颗粒，由于没经过测试甚至一些可能是原厂测试淘汰下来的颗粒，良率上无法保证。一些特殊渠道的颗粒，可能存在驱动强度偏弱等问题。hynix 4Gb C die DDR3，如 H5TQ4G63CFR ，kernel 3.10 早期代码需要打补丁才能用。（后期

修复了，判断标准是：只要进入 kernel 能正常就是 fix 过的，否则就需要补丁）。

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