英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。
了解使用此SMD封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表，详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器-电机一体化，以及低功率紧凑型充电器解决方案。
CoolSiC™沟槽MOSFET技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有3µs的短路时间。由于采用.XT连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，.XT连接技术可多消散30%的额外损耗。该全新CoolSiC™ .XT产品系列表现出一流的热性能和循环能力：与标准连接技术相比，输出电流最多提高14％，开关频率提高一倍，工作温度则降低10-15°C。
来源：英飞凌
免责声明：文章内容来自互联网，本站不对其真实性负责，也不承担任何法律责任，如有侵权等情况，请与本站联系删除。
转载请注明出处：新品 | 采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET https://www.yhzz.com.cn/a/14211.html
