技术知识
-
TVS参数详情解析
TVS的参数主要有: 1.击穿电压(VBR):TVS在此时阻抗骤然降低,处于雪崩击穿状态。 2.测试电流(IT):TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。一般情况下IT取1mA。…
-
如何解决交流电机驱动中的关键挑战?电容隔离给你答案!
信号和电源隔离有助于确保交流电机驱动系统的稳定运行,并保护操作人员免受高压危险。 但并非所有隔离技术都能满足所有需求,尤其是在器件寿命和温度性能方面。 为解决交流(AC)电机设计挑…
-
ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V / 1200V耐压),非常适用于要求高…
-
使用电感降低噪声 注意点 : 串扰、GND线反弹噪声
这之前作为使用电感的降噪对策,介绍了电感和铁氧体磁珠、共模滤波器。本文将主要介绍PCB板布局相关的注意事项。 串扰 串扰是因电路板布线间的杂散电容和互感,噪声与相邻的其他电路板布线…
-
医疗产品辐射超标整改案例
某客户医疗产品在做EMC认证过程中,测辐射(RE)超标不通过。把产品拿到我司,通过整改测试通过,整改方案如下: 整改前现象 整改后现象 1、在+5V输出端串磁珠(ASIM型号:CV…
-
【技术文章】穿戴产品的无线连接案例及动向
传感器技术的进步使得健身腕带和跟踪器能够监测多种身体运动和空间定位 可穿戴产品的动向–健身和健康检测 例如深圳市隐秀科技有限公司的“米家石英表(Mi Quartz)”健…
-
射频领域的明星材料:砷化镓和氮化镓
半导体原料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅 (Si)、锗 (Ge) 为代表的第一代半导体原料;第二阶段是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表;第三阶段是以…
-
望友将参展德国慕尼黑Productronica2019电子博览会
2019年11月12日-15日,望友将作为参展商参展德国Productronica2019电子博览会。该博览会-慕尼黑国际电子生产设备贸易博览会是全球知名的、展品全面覆盖整个电子行…
-
如何有效解決ESD静电问题?
静电是人们非常熟悉的一种自然现象。静电的许多功能已经应用到军工或民用产品中,如静电除尘、静电喷涂、静电分离、静电复印等。然而,静电放电ESD却又成为电子产品和设备的一种危害,造成电…
-
STD45NF75T4特征说明
STD45NF75T4是ST微电子最新发展的独特的“单特征尺寸”条带制程。所得到的晶体管显示出极低的on电阻、坚固的雪崩特性和较低的临界对准步骤的封装密度极高,因此具有可标记的…