技术知识
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工程师必知的那些元器件失效机理-元器件本身的故障有哪些
温度导致失效 环境温度是导致元件失效的重要因素。 温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向…
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基于质子化学的空气自充电Pb/PTO电池-质子在原电池中的移动方向是什么
研究速读 由于在近中性电解质中阴极上形成碱性盐,空气自充电水性金属离子电池在自充电循环后通常会出现容量损失。近日,南开大学 牛志强 团队在酸性电解质中开发了基于质子化学的空气自充电…
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抑制IGBT集电极过压尖峰的方法-igbt好坏
IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短…
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台积电3nm芯片预计今年下半年量产!郭明錤预测:14吋和16吋新MacBook仍采用5nm芯片-台积电生产3nm芯片
(电子发烧友网报道 文/章鹰)8月18日,在南京举办的世界半导体大会上,台积电(中国)有限公司技术总监陈敏表示,台积的5纳米已经量产超过3年,累计出货超过200万片,产品广泛应用在…
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基于图的SLAM点稀疏化方法-稀疏化算法
特征点法的VSLAM系统中,特征点并不是越多越好;相反, 少量 并且 质量高 的点会让这个SLAM系统位姿精度更高,且消耗更少的存储资源和计算资源。本文基于上述情况,提出了一种在S…
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M-axis永磁体特性测量表征磁偏角测量方法对比研究-测量学磁偏角名词解释
永磁体磁偏角指永磁体的最终磁化矢量方向的偏角。永磁体在磁取向成型的过程中,产品取向方向和取向磁场方向不平行而产生磁偏角,或者在产品交工过程中,装夹产品时未找正而使产品几何对称轴与产…
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rt-thread操作系统下timer使用-rtthread启动流程
rt-thread 是通过 I/O 设备模型来管理 soc 上的外设,从上到下分为三层:I/O 设备管理层、设备驱动框架层和设备驱动层。stm32 的 HAL 库就属于设备驱动层,…
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rt-thread操作系统下ADC采样-adc数据采集系统
AD采样是应用非常广泛的一种模式,其中包括DMA方式和非DMA方式。 部分代码如下: 复制#include #include #define ADC_DEV_NAME “…
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MM32F5270(STAR-MC1内核)适配RT-Thread教程-mm32f5270和mm32f3270
概述 2022年4月,灵动微电子发布了搭载安谋科技“星辰”STAR-MC1处理器的全新高性能 MM32F5 微控制器系列。该系列在内核、总线和外设配置等多个方面进行了创新,内核上更…
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如何设计和认证功能安全电阻温度检测器系统-电阻温度探测器工作原理
如何设计和认证功能安全电阻温度检测器系统 【导读】温度是过程控制系统中的一个关键测量指标,它可以是直接测量,例如测量化学反应的温度;它也可以是补偿测量,例如压力传感器的温度补偿。对…